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QLED量子點(diǎn) 特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液 濃度：~20mg/ml，溶劑：正辛烷（可定制不同溶劑、濃度） 直接用于旋涂工藝 ZnMgO 納米粒子 濃度：~30mg/ml，溶劑：乙醇 成膜效果好，材料穩(wěn)定 HIL/HTL 材料 HIL：固含量：~1.5% HTL：固含量：~1.2% 量子點(diǎn) 墨水

ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)保“綠色”半導(dǎo)體納米材料，有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn)，作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)用*專有技術(shù)合成的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)具有尺寸均勻，單分散性強(qiáng)，熒光量子產(chǎn)率高，穩(wěn)定性好，生物毒性低等優(yōu)異特性；可以廣泛應(yīng)用于藍(lán)光半導(dǎo)體光電器件、太陽(yáng)能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。

由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識(shí)別，以及太陽(yáng)能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好，熒光發(fā)射峰范圍廣，發(fā)光效率高，波長(zhǎng)可調(diào)等諸多優(yōu)異特性。

光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和*吸引力的功能。例如，通過(guò)控制粒子的大小，CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而，二元素量子點(diǎn)，如CdSe量子點(diǎn)，有兩個(gè)缺點(diǎn)。第一，其表面缺陷形成表面陷阱態(tài)，使發(fā)光效率和穩(wěn)定性降低。通過(guò)在量子點(diǎn)表面包附ZnS，形成Core-shell結(jié)構(gòu)可以降低面缺陷，但CdSe和ZnS晶格失配，在很大程度上影響其發(fā)光效率和光學(xué)穩(wěn)定性。第二，量子點(diǎn)的

光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴性是量子點(diǎn)*的和*吸引力的功能。例如，通過(guò)控制粒子的大小，CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而，二元素量子點(diǎn)，如CdSe量子點(diǎn)，有兩個(gè)缺點(diǎn)。第一，其表面缺陷形成表面陷阱態(tài)，使發(fā)光效率和穩(wěn)定性降低。通過(guò)在量子點(diǎn)表面包附ZnS，形成Core-shell結(jié)構(gòu)可以降低面缺陷，但CdSe和ZnS晶格失配，在很大程度上影響其發(fā)光效率和光學(xué)穩(wěn)定性。第二，量子點(diǎn)的

近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn)，在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長(zhǎng)具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。應(yīng)用*專有技術(shù)合成近紅外量子點(diǎn)具有粒徑分布窄，色彩純度高，發(fā)射近紅外光，穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性，且成本低，易于大規(guī)模量產(chǎn)。