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簡要描述：基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片
將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物
每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有A-B堆疊
更新時(shí)間：2024-06-03產(chǎn)品型號： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問 量：981詳細(xì)介紹
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片
將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物
每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機(jī)取向。
薄層電阻：215-700Ω/平方
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
應(yīng)用：
石墨烯電子和晶體管
導(dǎo)電涂料
航空航天工業(yè)應(yīng)用
支持金屬催化劑
微執(zhí)行器
MEMS和NEMS
化學(xué)和生物傳感器
基于石墨烯的多功能材料
石墨烯研究
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
應(yīng)用：
石墨烯電子和晶體管
導(dǎo)電涂料
航空航天工業(yè)應(yīng)用
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